На пазара могат да се появят по-добри и евтини мемристори в резултат на случайно откритие, направено в Университетския колеж в Лондона.

Учените експериментирали със силициев оксид за производство на LED и случайно открили такава структура на атомите на силиция, която създава по-малко резистивни участъци в твърдия силициев оксид. Превключването между нивата на съпротивление ставало много по-ефикасно, отколкото по-рано. Описание на процеса вече е публикуван в списание Journal of Applied Physics.

Изучавайки свойствата на създадения от тях образец на LED, учените открили, че поведението на тяхното устройство е нестабилно. Един от изследователите, Аднан Мехоник, се заел да изучи този феномен и изяснил, че силициевият оксид не е бил нестабилен, а е прескачал напълно предсказуемо в различни проводими и непроводими състояния.

„Моята работа показа, че този материал може да бъде приложен за направата на мемристори. Потенциалът на този материал е просто огромен. На етапа на потвърждение на концепцията, ние демонстрирахме, че можем да програмираме чипове с използването на цикли от две и повече състояние на проводимост. Нашето устройство може да стане важна крачка към създаването на нови силициеви чипове памет“, споделя Мехоник.

Доктор Тони Кениън от Департамента по електроника в Университетския колеж казва: „Нашите чипове памет ReRAM се нуждаят от едва една хилядна част от енергията, потребявана от стандартните чипове флаш-памет и са 100 пъти по-бързи от тях. Фактът, че това устройство може да функционира в реалните условия на околната среда и изменя своето съпротивление, открива широк кръг от практически приложения“.

Доктор Кениън добавя: „Ние работим също така над създаването на кварцово устройство, с приложение в прозрачната електроника“. Това ще позволи да се добави функцията памет към тъчскрийна и други екрани на мобилните устройства.

Източник: Theregister.co.uk